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技術士試験(情報工学部門)・情報技術者試験。ファーストマクロ。


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平成30年度 秋期 応用情報技術者試験問題と解説

問10

相変化メモリの説明として、適切なものはどれか。

ア 一度だけ書き込みが可能な不揮発性メモリ

イ 結晶状態と非結晶状態の違いを利用して情報を記憶する不揮発性メモリ

ウ フリップフロップ回路で構成された揮発性メモリ

エ リフレッシュ動作が可能な揮発性メモリ


正解


解説

ア PROM (Programmable Read Only Memory) が該当する。

イ 正しい。「そうへんか」と読む。PCM (Phase-Change Memory) や、PCRAM (Phase Change Random Access Memory) とも呼ばれる。

ウ SRAM (Static Random Access Memory) の説明である。

エ DRAMを意識した選択肢と考えられる。DRAM (Dynamic Random Access Memory) は、読書き自由なRAMの一種で、リフレッシュ動作が必要なメモリであり、PCの主記憶として用いられる。

問9 目次 問11