フラッシュメモリにおけるウェアレベリングの説明として、適切なものはどれか。
ア 各ブロックの書込み回数がなるべく均等になるように、物理的な書込み位置を選択する。
イ 記憶するセルの電子の量に応じて、複数のビット情報を記録する。
ウ 不良のブロックを検出し、交換領域にある正常な別のブロックで置き換える。
エ ブロック単位でデータを消去し、新しいデータを書き込む。
ア
ア 正しい。ウェアレベリングは、メモリの寿命を延ばすため、各ブロックの書込み回数がなるべく均等になるように物理的な書込み位置を選択することである。
イ MLC (Multiple Level Cell) の説明である。
3ビットの情報を記録するものは、TLC (Triple Level Cell)、4ビットの情報を記録するものは、QLC (Quad-Level Cell) と呼ばれることもある。
ウ リアロケーションやリプレースの説明である。
エ フラッシュメモリの特徴である。
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