本文へスキップ

技術士試験(情報工学部門)・情報技術者試験。ファーストマクロ。


Since 2016.4.19

平成30年度 春期 応用情報技術者試験問題と解説

問10

NAND 型フラッシュメモリに関する記述として、適切なものはどれか。

ア バイト単位で書込み、ページ単位で読出しを行う。

イ バイト単位で書込み及び読出しを行う。

ウ ページ単位で書込み、バイト単位で読出しを行う。

エ ページ単位で書込み及び読出しを行う。


正解


解説

フラッシュメモリは、不揮発性のメモリでNAND型又はNOR型があり、SSDに用いられる。

NAND 型はデータの書き込みが速く、ページ単位で書込み及び読出しを行う。
NOR 型は読み込みが早く、信頼性が高い。1バイト単位で書込み及び読出しを行う。

問9 目次 問11