フラッシュメモリに関する記述として、適切なものはどれか。
ア 高速に書換えができ、CPUのキャッシュメモリに用いられる。
イ 紫外線で全内容の消去ができる。
ウ 周期的にデータの再書込みが必要である。
エ ブロック単位で電気的に内容の消去ができる。
エ
ア SRAM (Static Random Access Memory) の説明である。SRAMは、読書き自由なRAMの一種で、コンピュータの電源を落とすと、記憶内容も消える揮発性メモリである。
イ UV-EPROM (UltraViolet Erasable Programmable Read Only Memory = 紫外線消去型EPROM) の説明である。
ウ DRAM (Dynamic Random Access Memory) の説明である。DRAMは、読書き自由なRAMの一種で、リフレッシュ動作が必要なメモリであり、PCの主記憶として用いられる。
エ 正しい。フラッシュメモリは、不揮発性のメモリでNAND型又はNOR型があり、SSD (Solid State Drive) に用いられる。
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