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技術士試験(情報工学部門)・情報技術者試験。ファーストマクロ。


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平成28年度 秋期 応用情報技術者試験問題と解説

問21

フラッシュメモリに関する記述として、適切なものはどれか。

ア 高速に書換えができ、CPUのキャッシュメモリに用いられる。

イ 紫外線で全内容の消去ができる。

ウ 周期的にデータの再書込みが必要である。

エ ブロック単位で電気的に内容の消去ができる。


正解


解説

ア SRAM (Static Random Access Memory) の説明である。SRAMは、読書き自由なRAMの一種で、コンピュータの電源を落とすと、記憶内容も消える揮発性メモリである。

イ UV-EPROM (UltraViolet Erasable Programmable Read Only Memory = 紫外線消去型EPROM) の説明である。

ウ DRAM (Dynamic Random Access Memory) の説明である。DRAMは、読書き自由なRAMの一種で、リフレッシュ動作が必要なメモリであり、PCの主記憶として用いられる。

エ 正しい。フラッシュメモリは、不揮発性のメモリでNAND型又はNOR型があり、SSD (Solid State Drive) に用いられる。

問20 目次 問22